如果不用固定的时钟来初始化导通时间,而利用 检测 来有效地“感测” MOS FET (VDS) 漏源的第一个最小值或谷值,并仅在这时启动 mosfet 导通时间,结果会是由于寄生被充电到最小电压,导通的尖峰将会最小化。这情况常被称为谷值 开关 (Valley Switching) 或准谐振开关。这篇文章的目的目的在于和大家分享关于准谐振反激的原理、应用及参数计算方面的知识。
准谐振 QR
Q(Quasi)
R( resonant)
主要是降低 MOSFET 的开关损耗，而mos的开关损耗主要是来源于自身的输出。
从上图中，大家可以讨论一下，一般的开关损耗来自于那几个部分的寄生电容产生的。在传统的非连续模式反激DCM)的停滞时间内，寄生电容将会跟VDC周围的主要 产生振荡。寄生电容上的电压会随振荡而变化，但始终具有相当大的数值。当下一个MOSFET导通时间开始时，寄生电容会通过MOSFET放电，产生很大的电流尖峰。由于这个电流出现时MOSFET存在一个很大的电压,该电流尖峰因此会做成开关损耗。
从上面的图可以看到，准谐振跟一般的传统反激原理基本一样。
Lleak是初级漏感，Rp是初级 ，Cp是 谐振电容 ；
当副边绕组中的能量释放完毕之后(即 完全复位)，在 开关管 的漏极出现正弦波振荡电压，振荡由LP、CP决定，衰减因子由RP决定。
对于传统的反激式 变换器 ，其工作频率是固定的，因此开关管再次导通有可能出现在振荡电压的任何位置(包括峰顶和谷底)。
