LinkSwitch-CV是高集成的解决方案，将控制器和高压MOSFET同时集成到一个晶片上。由于同时存在高开关、高开关和模拟信号，为了保证可以稳定可靠的工作，遵循正确的设计方法显得尤为重要（见下图）。
在设计LinkSwitch-CV电源的板时，请务必遵循以下原则。
(1)单点接地。LinkSwitch-CV源极引脚的输入负极端采用单点(Kel-vin)连接到偏置绕组的回路，使电涌电流从偏置绕组直接返回输入滤波，增强了浪涌的承受力。
(2)旁路电容。旁路引脚电容应放置在距离源极引脚和旁路引脚最近的地方。
(3)反馈。直接将反馈放在LinkSwitch-CV器件的反馈引脚处，这样可以降低耦合。
(4)散热考量。与源极引脚相连的铺铜区域为LinkSwitch—CV提供散热。根据经验估计，LinkSwitch-CV将耗散10%的输出功率。预留足够的铺铜区域，使源极引脚温度维持在iiooc以下，以便为元件间的RDs(ON)变化提供裕量。
(5)二次环路面积。要最大程度上降低漏感和，连接二次绕组、输出及输出滤波电容的环路区域面积应最小。此外，与二极管的阴极和阳极连接的铜箔区域面积应足够大，以便用来散热。最好在安静韵阴极留有更大的铜箔区域。阳极铺铜区域过大会增加高频辐射EMI。
(6)静电放电火花隙。在充电器和中，ESD放电可能要施加到电源的输出端。因此，建议在这些应用中增加火花隙设计。沿着绝缘带有一条引线，用于形成火花隙的一个电极。二次侧的另一个电极由输出返回节点形成。火花隙直接将ESD能量从二次引回一次侧AC输入。在AC输入附近设计一个lOmil的火花隙。间隙可以退耦在放电带和AC输入间产生的任何噪声信号。从AC输入到火花隙电极的引线应与其他引线保持一定的间距，以免引起不必要的电弧以及可能的电路损坏。
