一般发光器件都是砷化镓红外，而受光器件一般有、硅光敏、达林顿型、光控晶闸管型及型等，其内部结构如图所示。
光电耦合器的封装形式，只有双列直插式，常用类型的光电耦合器的引脚排列，如图所示。
光电耦合器光电管的集电极与发光的电流If之比称为电流传输比，用表示，CTR的大小与光电耦合器的类型有关。二极管输出光电耦合器的CTR较小，在3％以内。三极管输出的光电耦合器的CTR可达150％，光电开关的CTR可达500％。
光电耦合器与三极管一样可以线性工作，也可工作在开关状态。在的驱动中，“光耦”一般用来传递脉冲信号，工作于开关状态。工作在高频时，应考虑“光耦”的，包括：延迟时间Td、上升时间tr、下降时间tf，如下图(a)(b)所示。为了得到快速响应，常选用高速“光耦”。在“光耦”电路中，Rl的大小影响“光耦”的响应时间，Rl越小，“光耦”的响应时间越短。在使用时，在“光耦”允许的集电极电流范围内要尽量减小负载以提高“光耦”的响应速度。
