其原因是因为采用金属银电极的银是极易氧化和电迁移的活泼金属。若包封不严密，在电场作用下。尤其是高温高湿下银离子逐渐向负极迁移，并呈树枝状扩展，离子银迁移的结果导致瓷片器极板在边缘连通短路。此外，银离子还会利用介质存在的微孔和裂纹渗入到界面层内。并扩散深入逐渐形成伸入介质内部的导电枝，形成较短的迁移途径，严重时能使两极间直接连通。
由此可见，瓷片器的“低压”失效，完全是有别于其他电容的超越标定耐压值发生的耐压击穿。银离子迁移是导致瓷片电容器低压失效的主要原因。严密的密封处理能有效降低瓷片电容的低压失效率。目前已有改用金属镍（Ni）作电极的生产工艺，由于镍的化学稳定性比银好，镍电极瓷片电容器不会发生“低压击穿”。可靠性可大幅提高。
